主控芯片、闪存颗粒、生产制造所有的环节均由中国企业完成实现存储技术全自主化,加速存储产品国产化进程
规格:M.2 2280接口协议:M.2 PCIe Gen 3*4容量:128GB/256GB/512GB/1TB读写速度:读取速度高达2000MB/s(512GB) 写入速度高达1700MB/s(512GB)主控方案:MAP1002性能特点:长江存储64层3D TLC NAND Flash工作电压:DC 3.3V运行温度:0℃-70℃存储温度:-40℃-85℃环境湿度(不凝结):5%-95%质保服务:三年
规格:M.2 2280接口协议:M.2 PCIe Gen 3*4容量:128GB/256GB/512GB/1TB/2TB读写速度:读取速度高达2000MB/s (512GB) 写入速度高达1700MB/s(512GB)主控方案:MAP1002性能特点:LDPC智能纠错,高速读写,安静运行,3D NAND Flash应用工作电压:DC 3.3V运行温度:0℃-70℃存储温度:-40℃-85℃环境湿度(不凝结):5%-95%质保服务:三年